PANJIT Wide Bandgap (SiC) Semiconductors

Schottky Diode

Panjit

Das Unternehmen PANJIT International Inc. wurde 1986 in Kaohsiung, Taiwan gegründet. Panjit beschäftigen weltweit rund 3.000 Mitarbeiter an Produktionsstandorten und in Büros in Asien, Europa und den USA. Mit einer Front-End-Fabrik in Taiwan und zwei Back-End-Fabriken in Taiwan und auf dem chinesischen Festland zielt Panjit auf die Marktsegmente Automobil-, Industrie-, Energie- und Konsumanwendungen ab.

Das gut sortierte Produktspektrum erstreckt sich über verschiedene Arten von Dioden, MOSFETs, Bipolartransistoren und Schutzelementen und weist einige spezielle Technologien wie zum Beispiel SiC-Schottky-Dioden (SiC = Siliciumcarbid) auf. Panjit ist mit Branchen weit bekannten und erforderlichen Zertifikaten wie ISO9001, ISO14001, OHSAS18001 und IATF16949 ausgestattet. Panjit und BECK ELEKTRONIK bilden seit mehr als 15 Jahren eine lange und engagierte Partnerschaft.

PANJIT's SiC Schokkty Diodes

SiC (Silicon Carbide) is a compound semiconductor comprised of silicon (SI) and carbon (C).

SiC has many advantages in comparision to Si:

  1. SiC has ten times the dieletric breakdown field strength of Si
  2. SiC has three times the bandgap of Si
  3. SiC has three times the thermal conductivity of Si

These advantages make SiC devices far exceed the performance of their Si counterpartes with higher breakdown voltage, lower resistivity and higher operation temperature.

PANJIT offers SiC Schottky Diode from 650V to 1200V Breakdown Voltage and from 2A to 11A forward current.

Based on SiC and packaging technology PANJIT's SiC Schokkty Diodes have following features:

  • Temperature Independent fast Switching Behavior
  • Low Conduction and Switching Loss (less noise)
  • High Surge Current Capability
  • Positive Temperature Coefficient on Vf ( avoid thermal run away when used in parallel )
  • Fast Reverse Recovery
  • 175°C Maximum Operating Junction Temperature

Product overview of SiC Schottky Diodes of our partner PANJIT (AEC-Q available)