PANJIT Wide Bandgap (SiC) Semiconductors

Schottky Diode

Panjit

Das Unternehmen PANJIT International Inc. stellt bereits seit 1986 in Großserie die grundlegenden Standardprodukte der Halbleiterindustrie her. Die Entwicklung der Halbleiter findet an mehreren Standorten weltweit statt, um auf die Bedürfnisse der Kunden adäquat eingehen zu können. PANJIT hat zwei eigene Front-End Fabriken und zwei Back-end Fabriken, jeweils eine in China und in Taiwan. Dort findet der komplette Prozess von Wafer Produktion bis hin zum Testing Inhouse statt. So wird garantiert, dass die Produktion der Halbleiter den Ansprüchen von PanJit genügt.

Der Fokus von PANJIT liegt auf dem Automobil, Industrie, Energie und Konsumgüterbereich. Dazu passend erstreckt sich das Produktspektrum von Dioden über MOSFETs, Transistoren hin zu verschiedenen Protection Elementen. Darüber hinaus hat PANJIT SiC-Schottky-Dioden (SiC = Siliciumcarbid) im Programm. PANJIT kann die branchenüblichen Zertifikate wie ISO9001, ISO14001, OHSAS18001 und IATF16949 vorweisen.

PANJIT und BECK ELEKTRONIK haben seit mehr als 15 Jahren eine engagierte Partnerschaft.

PANJIT's SiC Schokkty Diodes

SiC (Silicon Carbide) is a compound semiconductor comprised of silicon (SI) and carbon (C).

SiC has many advantages in comparision to Si:

  1. SiC has ten times the dieletric breakdown field strength of Si
  2. SiC has three times the bandgap of Si
  3. SiC has three times the thermal conductivity of Si

These advantages make SiC devices far exceed the performance of their Si counterpartes with higher breakdown voltage, lower resistivity and higher operation temperature.

PANJIT offers SiC Schottky Diode from 650V to 1200V Breakdown Voltage and from 2A to 11A forward current.

Based on SiC and packaging technology PANJIT's SiC Schokkty Diodes have following features:

  • Temperature Independent fast Switching Behavior
  • Low Conduction and Switching Loss (less noise)
  • High Surge Current Capability
  • Positive Temperature Coefficient on Vf ( avoid thermal run away when used in parallel )
  • Fast Reverse Recovery
  • 175°C Maximum Operating Junction Temperature

Product overview of SiC Schottky Diodes of our partner PANJIT (AEC-Q available)