PANJIT Wide Bandgap (SiC) Semiconductors
Schottky Diode
Das taiwanesische Unternehmen PANJIT International Inc. stellt bereits seit 1986 Halbleiter-Bauelemente für die Industrie her. Heutzutage findet die Weiterentwicklung und Fertigung der eigenen Halbleiter-Produkte an mehreren Standorten in Asien statt: PANJIT besitzt je zwei eigene Front-End und Back-End Fabriken, jeweils eine in China und in Taiwan. Dort findet der komplette Fertigungsprozess von der Wafer Produktion bis hin zum Testing in der eigenen Fertigung statt.
Der Fokus von PANJIT liegt auf dem Automobil-, Industrie-, Energie- und Konsumgüterbereich. Als Besonderheit verfügt PANJIT über SiC-Schottky-Dioden (SiC = Siliciumcarbid) im Programm. PANJIT kann die branchenüblichen Zertifikate wie ISO 9001, ISO 14001, OHSAS 18001 und IATF 16949 vorweisen.
PANJIT und BECK Elektronik haben seit mehr als 15 Jahren eine engagierte Partnerschaft.
PANJIT's SiC Schokkty Diodes
SiC (Silicon Carbide) is a compound semiconductor comprised of silicon (SI) and carbon (C).
SiC has many advantages in comparision to Si:
- SiC has ten times the dieletric breakdown field strength of Si
- SiC has three times the bandgap of Si
- SiC has three times the thermal conductivity of Si
These advantages make SiC devices far exceed the performance of their Si counterpartes with higher breakdown voltage, lower resistivity and higher operation temperature.
PANJIT offers SiC Schottky Diode from 650V to 1200V Breakdown Voltage and from 2A to 11A forward current.
Based on SiC and packaging technology PANJIT's SiC Schokkty Diodes have following features:
- Temperature Independent fast Switching Behavior
- Low Conduction and Switching Loss (less noise)
- High Surge Current Capability
- Positive Temperature Coefficient on Vf ( avoid thermal run away when used in parallel )
- Fast Reverse Recovery
- 175°C Maximum Operating Junction Temperature
Product overview of SiC Schottky Diodes of our partner PANJIT (AEC-Q available)
