JSCJ Transistors

Bipolar / MOSFET

JSCJ

Die Abkürzung JSCJ steht für Jiangsu Changjing Electronics Co., Ltd, ein stark aufstrebendes, junges Unternehmen mit Sitz in Nanjing in der chinesischen Provinz Jiangsu. JSCJ ist der Tochtergesellschaft von JCET, einem der TOP3 der weltweit größten OSAT-Unternehmen (Outsourced Semiconductor Assembly & Test). JSCJ hat sich zum Ziel gesetzt zu einem der führenden Akteure auf seinem Markt für Halbleiterprodukte zu werden.

JSCJ bietet eine Vielzahl von Produkten für Märkte in den Bereichen Industrie, Konsum- und weiße Waren an und entwickelt sich kontinuierlich weiter in Richtung Automobilanwendungen mit dem Schwerpunkt auf Dioden, Transistoren, Frequenzggerät(Crystal und Oscillator) und ICs in einem ständig wachsenden Produktportfolio. JCET bedient nicht nur seine eigene Marke „JSCJ“, sondern auch viele internationale Halbleiterunternehmen als ODM-Partner, hat branchenführende Qualitätsstandards und verfügt über Zertifikate wie ISO9001, ISO14001, OHSAS18001 und IATF16949.

JSCJ und BECK ELEKTRONIK arbeiten bereits in der frühen Phase der Gründung der Marke „JSCJ“ im Jahr 2019 zusammen.

Bipolar Junction Transistors / BJT

Bipolar transistor has an npn-structure or pnp-structure therefore comprises two subsequent pn-junctions. It have both electrons and holes as charge carriers. Bipolar junction transistors are usually used in 2 diffirent types of applications: Switching and Amplification.

JSCJ's transistor portfolio includes Gerneral Purpose Transistor, Darlington Transistor, Digital Transistor, Low Satuation Transistor, High Voltage Switching Transistor, Electronic Energy-saving Lamp, Ballast Special Switching Transistor with following technical advantages:

  • Perfect transistor accessory products
  • Low VSAT transistor products
  • Full range of digital transistor products

Overview of JSCJ's Transistor Product Portfolio

Small Signal Mosfet & Power Mosfet

Metal-oxide-semiconductor field-effect transistor (MOSFET) is a type of insulated-gate field-effect transistor, which is widely used for switching and amplifying signals with capability to work up to a few hundred KHz.

JSCJ's MOSFET portfolio offers a range of breakdown voltages from –100 to 800 V combined with state-of-the art packaging and following technical advantages:

  • Complete MOSFET accessory products
  • China's first CSP MOSFET products
  • Industry leading MOS R&D level 

Overview of JSCJ's MOSFET Product Portfolio

JSCJ’s new released CSP (chip scale packaging) Power Mosfet CJ6207SP:

The CJ6207SP uses advanced trench technology to provide excellent RSS(ON) (common Drain topology) , low gate charge and operation with gate voltages as low as 2.5 V while retaining a 8 V VGS(MAX) rating. It is ESD protected. This device is suitable for use as a unidirectional or bi-directional load switch, facilitated by its common-drain configuration.