Aktuelles

Kategorie: Produkte, Unternehmen

New SODDB3/ SODDB3T DIACs (bi-directional trigger diodes) have been released.

These DIACs offer a reverse breakover voltage (VBO) of 32 V and a maximum power dissipation (PD) of 400 mW.

Based on planar process technology the leakage current is measured
at <1 µA (IR<10µA@VB=½VBO) with a stable high temperature performance.

Available in wire-bonded gull-wing SOD-123 package they are ideally…

Lextar Electronics erweitert sein Produktprogramm um die neue Flip Chip COB, „Polaris“. Damit ist Lextar nun Anbieter der umfassendsten COB-Produktlinie der Branche.

Neben den bekannten Vorteilen der COB-Reihe, wie CRI-Werten von 80+ und 90+ über alle Leistungsbereiche und Hot Color Targeting, ist die neue Polaris-Serie gekennzeichnet durch bessere Übersteuerungsfähigkeit und bessere…

The new 600/700 V N-Channel Power MOSFETs in Super-Junction technology with RDS(on) of 0.75 and 1.4 O have been launched in TO-251 (IPAK) and TO-252 (DPAK) packages.

Super-Junction Power MOSFETs by TSC offer low RDS(on) and high efficiency.

Features:

  • Super-Junction technology
  • High performance due to small figure-of-merit
  • High ruggedness performance
  • High commutation performance

Applicatio…

The Trench Schottky technology patented by TSC offers excellent high temperature stability, lower forward voltage drop, and lower power loss for a given silicon surface area.

It offers high energy efficiency and high forward surge capability.

TSC Trench Schottky devices are optimized for low and ultra-low VF (respectively “L” and “U”-type) or low/ultra-low IR (“M”, “H”-type).

The broad…

 ELNA has recently developed "conductive polymer hybrid aluminum electrolytic capacitors", which combined advantages of both aluminum electrolytic capacitors and conductive polymer capacitors.

This new product incorporated the hybrid electrolyte, that blended electrolytic solution (liquid) with conductive polymer (solid) using the unique electrolyte technology.

Features:

  • Low ESR, high ripple…

SMD-Sicherung mit dem hohem Ausschaltvermögen (UMT-H)

Neue Nennstromwerte für die Die SMD-Sicherung UMT-H wurde um 13 zusätzliche Nennstromwerte erweitert und wird nun mit insgesamt 19 Nennströmen angeboten, welche die Nennstromwerte zwischen 160 mA und 10 A abdeckt. Sie schützt dadurch eine noch grössere Bandbreite von Anwendungen. Mit einem Ausschaltvermögen von 1500 A bietet die kompakte…

The MOSFET portfolio of Taiwan Semiconductor has been expanded to include various Low Voltage MOSFETs for general purpose application use:

  • 30 V N-Channel & -30 V P-Channel MOSFET, SOP-8 package
  • -60 V (D-S) P-Channel MOSFET, TO-251S (IPAK) and TO-252 (DPAK) package
  • 30~60 V (D-S) N-Channel MOSFET, TO-251S (IPAK), TO-252 (DPAK) and SOT-223 package

These devices are based on a 0.18 µm Trench…

SMD-Sicherung mit dem hohem Ausschaltvermögen (UMT-H) 

Neue Nennstromwerte für die Die SMD-Sicherung UMT-H wurde um 13 zusätzliche Nennstromwerte erweitert und wird nun mit insgesamt 19 Nennströmen angeboten, welche die Nennstromwerte zwischen 160 mA und 10 A abdeckt. Sie schützt dadurch eine noch grössere Bandbreite von Anwendungen. Mit einem Ausschaltvermögen von 1500 A bietet die kompakte…

Lextar

Von 27. bis 30. Oktober findet Asiens größtes jährliches Lighting Event statt, die Hong Kong International Lighting Fair 2014 (Autumn Edition).

Lextar wird dort erneut sein komplettes Portfolio aus den Bereichen LED Lighting und LED Components präsentieren und viele neue Produkte und Technologien vorstellen. Selbstverständlich sind auch kompetente Ansprechpartner von Beck Elektronik am Lextar…

Der Messestand der Beck Elektronik im Messezentrum unserer Stadt Nürnberg war ein besonderes „Highlight“ im Februar 2014.

Wie ein Magnet wirkte unser Stand und wir hatten wie in den vorangegangenen Jahren eine überwältigende Anzahl von Besuchern. Kein Wunder – denn unser Lieferprogramm deckt nahezu alle erdenklichen Kundenwünsche auf dem Sektor der Display-Technik ab. Zudem hatten wir den Vorteil…