Taiwan Semiconductor hat eine zweite Generation von
600 V-Super-Junction-Leistungs-MOSFETs entwickelt.
- Schnellere, leistungsfähigere Schaltleistung
- Verbesserte Leistungsfähigkeit (FOM)
- Schnellere Recovery-Zeit
Die Familie der 600 V N-Kanal-Leistungs-MOSFETs TSM60NBxxx bietet RDS(on) (max) im Bereich von 190 mO bis 1.4 O.
Die fortschrittliche und proprietäre Super-Junction-Technologie wurde speziell entwickelt, um die Effizienzbegrenzungen von Hochspannungs-Planar-MOSFETs durch eine Verbesserung der RDS(on) * Qg Figure-of-Merit in Lastschaltanwendungen zu lösen.
Niedriger RDS(on), geringe Gate-Ladung (Qg) und schnelle Reverse Recovery Performance verringern Leitungs- und Schaltverluste.
Eine Reihe von thermisch effizienten, zuverlässigen RoHS / REACH-kompatiblen und halogenfreien Gehäuseformen werden für platzbeschränkte Leistungsschaltanwendungen angeboten.
Features:
- G2 Super-Junction technology
- 100% UIS tested
- Low Gate Charge, Improved FOM
- Fast Reverse Recovery
- RoHS / REACH compliant and Halogen Free Packaging
Anwendungen:
- LED Lighting
- Charger / Adaptor
- SMPS Power Factor Correction
- LLC Primary Side MOSFET
| TSC P/N | Package | VDS (V) |
RDS(ON) max. (O) |
R DS(ON) typ. (O) |
Qg typ. (nC) |
Vgs (±V) |
trr typ. (ns) |
Qrr typ. (µC) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| TSM60NB190CI/CZ /CM2 | ITO-220/TO-220 /TO-263 | 600 | 0.19 | 0.17 | 31 | 30 | 360 | 4.5 |
| TSM60NB260CI | ITO-220 | 600 | 0.26 | 0.19 | 30 | 30 | 347 | 4.2 |
| TSM60NB380CH/CP | TO-251/TO-252 | 600 | 0.38 | 0.26 | 19 | 30 | 272 | 2.9 |
| TSM60NB600CH/CP | TO-251/TO-252 | 600 | 0.60 | 0.45 | 13 | 30 | 233 | 2.2 |
| TSM60NB900CH/CP | TO-251/TO-252 | 600 | 0.90 | 0.69 | 10 | 30 | 186 | 1.4 |
| TSM60NB1R4CH/CP | TO-251/TO-252 | 600 | 1.40 | 1.00 | 7 | 30 | 126 | 0.6 |
