Aktuelles Kategorie: Aktive Bauelemente

Beck Leistungselektronik auf der PCIM

Hochstromrelais, DC-Link-Kondensatoren und Leistungsmodule für anspruchsvolle Anwendungen

Beck Elektronik präsentiert auf der PCIM 2025 in Nürnberg leistungsstarke Komponenten für die Zukunft der Energieumwandlung und -verteilung. Im Fokus stehen praxisbewährte Lösungen für New Energy, Automotive und Industrie.

Vom 6. bis 8. Mai 2025 zeigt Beck Elektronik in Halle 7, Stand 100, drei…

Leistungsmodule

Die PCIM steht vor der Tür, und bei BECK Elektronik laufen die Vorbereitungen auf Hochtouren! Als Ihr zuverlässiger Partner für elektronische Komponenten präsentieren wir Ihnen die neuesten Highlights im Bereich Leistungsmodule.

Ob IGBT oder SiC, Schraubterminal oder Pressfit-Pin, Grundplatte oder Pinfins – BECK bietet Ihnen eine umfassende Auswahl für Ihre Anwendungen. Was immer das F&E-Herz…

Electronica 2024 in München

Vom 12. bis 15. November hatten wir die Gelegenheit, unsere neuesten Lösungen und Highlight-Produkte aus den Bereichen Aktive und Passive Bauelemente, Elektromechanik, Displays, Optoelektronik und LED auf der Electronica 2024 in München zu präsentieren.

Im Dialog mit unseren Besuchern und Partnern konnten wir wertvolle Ideen austauschen und spannende Einblicke in die Zukunft der Elektronikbranche…

Highlight-Produkte auf der Electronica 2024

Wir freuen uns, Ihnen unsere neuesten Innovationen und Lösungen auf der Electronica 2024 vorzustellen! Als führender Partner in der Elektronikbranche zeigen wir Ihnen einige Produkt-Highlights, die für Ihre Anwendungen von besonderem Interesse sein könnten. Besuchen Sie uns am Stand und entdecken Sie, wie unsere neuesten Technologien Ihr Geschäft voranbringen können.

 
12. bis 15. November 2024

Gate Treiber IC – Basic Modules & Discrets

Basic Modules & Discrets

 
BASiC Semiconductor Ltd., das innovative Unternehmen aus der Welt der Wide-Band-Gap-Industrie aus China, bietet Module und diskrete Bauelemente mit SiC-Chips sowie die passenden Gate-Treiber-ICs an.

Diese Gate-Treiber-ICs sind für eine Vielzahl von Applikationen konzipiert. Sie sind aufgrund ihrer Isolationsfestigkeit von bis zu 8000V und eines Treiberstromes im…

Die neue EEPROM LR24**-Serie

Die neue EEPROM LR24**-Serie


Wir freuen uns, eine spannende Erweiterung des IC Produktportfolios unseres Partners Leshan Radio Company „LRC“ vorstellen zu dürfen: nicht-flüchtige, löschbare elektronische Speicherbausteine – sogenannte EEPROMs!

 
Was sind EEPROMs?

EEPROMs (engl. Abk. electrically eraseable programable read-only memory) werden üblicherweise zur Speicherung von kleineren…

JSCJ MOSFETs im TOLL Package

Beck Elektronik präsentiert die neueste Innovation von JSCJ

Wir freuen uns, eine aufregende Neuerung aus dem Produktportfolio unseres Partners JSCJ vorstellen zu dürfen: MOSFETs im TOLL Package.

Diese MOSFETs bieten eine Reihe beeindruckender Merkmale, die sie zu einem unverzichtbaren Bestandteil moderner Schaltungsentwürfe machen. Ihre hervorragende Wärmeableitung und außerordentlich hohe…

900A – 1200V Modul mit Pin Fins

Um der Nachfrage der Kunden nach Modulen mit höheren Strömen nachzukommen, hat der chinesische Power-Modul-Spezialist Leapers Semiconductor Co. ,Ltd. ein 900A/1200V Modul entwickelt, das sich ideal für Applikationen eignet, die auf eine Wasser­kühlung ausgelegt sind: das Modul ist auf der Rückseite nicht mit einer Standard-Bodenplatte ausgestattet, sondern für eine optimierte Wärme­übertragung…

SiC MOSFETs von Leapers

Die E0 Serie (Bild#1) und E2 Serie (Bild#2) der Siliziumkarbid (SiC) MOSFET Leistungshalbleiter-Module des in Japan und China ansässigen Herstellers Wuxi Leapers Semiconductor Co., Ltd. – kurz „Leapers“ – eignen sich bestens für den Einsatz in folgenden Anwendungsbereichen: Erneuerbare Energien, Luftkompressoren, Industrie Frequenzumrichter und unterbrechungsfreie Stromversorgungen (UPS).

Die E0…

Power MOSFETs im PDFN*5x6 Gehäuse

Wir bieten eine Vielzahl leistungsstarker, effizienter Power MOSFETs im PDFN*5x6 (Power Dual Flat No-Lead) Gehäuse mit einer Kantenabmessung von 5mm x 6mm an!

In dieser Bauform sind MOSFETs mit einer Drain-Source-Spannung VDS von bis zu 600V oder einem Drain-Strom ID von bis zu 200A verfügbar! Dabei weisen alle Bauteile einen möglichst kleinen Drain-Source-Widerstand RDS(on)  auf, um so…