JSCJ Wide Bandgap (SiC) Semiconductors

Schottky Diode

JSCJ

Die Abkürzung JSCJ steht für Jiangsu Changjing Electronics Co., Ltd, ein stark aufstrebendes, junges Unternehmen mit Sitz in Nanjing in der chinesischen Provinz Jiangsu. JSCJ ist der Tochtergesellschaft von JCET, einem der TOP3 der weltweit größten OSAT-Unternehmen (Outsourced Semiconductor Assembly & Test). JSCJ hat sich zum Ziel gesetzt zu einem der führenden Akteure auf seinem Markt für Halbleiterprodukte zu werden.

JSCJ bietet eine Vielzahl von Produkten für Märkte in den Bereichen Industrie, Konsum- und weiße Waren an und entwickelt sich kontinuierlich weiter in Richtung Automobilanwendungen mit dem Schwerpunkt auf Dioden, Transistoren, Frequenzggerät(Crystal und Oscillator) und ICs in einem ständig wachsenden Produktportfolio. JCET bedient nicht nur seine eigene Marke „JSCJ“, sondern auch viele internationale Halbleiterunternehmen als ODM-Partner, hat branchenführende Qualitätsstandards und verfügt über Zertifikate wie ISO9001, ISO14001, OHSAS18001 und IATF16949.

JSCJ und BECK ELEKTRONIK arbeiten bereits in der frühen Phase der Gründung der Marke „JSCJ“ im Jahr 2019 zusammen.

JSCJ's SiC Schottky Diodes

SiC (Silicon Carbide) is a compound semiconductor comprised of silicon (SI) and carbon (C).

SiC has many advantages in comparision to Si:

  1. SiC has ten times the dieletric breakdown field strength of Si
  2. SiC has three times the bandgap of Si
  3. SiC has three times the thermal conductivity of Si

These advantages make SiC devices far exceed the performance of their Si counterpartes with higher breakdown voltage, lower resistivity and higher operation temperature.

JSCJ offers currently 650V, 10A SiC Schottky Diodes in TO Package, more variante are in developing.

Based on SiC and packaging technology JSCJ's SiC Schottky Diodes have following features:

  • Temperature Independent fast Switching Behavior
  • Low Conduction and Switching Loss (less noise)
  • High Surge Current Capability
  • Positive Temperature Coefficient on Vf ( avoid thermal run away when used in parallel )
  • Fast Reverse Recovery
  • 175°C Maximum Operating Junction Temperature

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