JSCJ Wide Bandgap (SiC) Semiconductors

Schottky Diode

JSCJ

Jiangsu Changjing Electronics Co. Ltd., kurz JSCJ, ist ein dynamisches Unternehmen mit Sitz in Nanjing in der chinesischen Provinz Jiangsu. JSCJ ist eine Ausgründung der Discrete Device Division des Muttergesellschaft Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd. (JCET), einem der TOP3 der weltweit größten OSATs (Out-sourced Semiconductor Assembly & Test). JSCJ hat sich zum Ziel gesetzt zu einem der führenden Akteure auf dem Halbleitermarkt zu werden.

JSCJ bietet ein breites Portfolio an Halbleiter-Bauteilen für die Bereiche Industrie, Konsumgüter sowie Weiße Ware und fokussiert den Ausbau seines Sortiments nach AEC-Q101 zertifizierten Produkten. Neben den klassischen Aktiven Komponenten hat JSCJ auch frequenzgebende Bauelemente wie Quarze und Oszillatoren in der Linecard. JSCJ erfüllt die branchenüblichen Qualitätsstandards und ist nach ISO 9001, ISO 14001, OHSAS 18001 und IATF 16949 zertifiziert.

Die Partnerschaft zwischen BECK und JSCJ begann bereits zu den frühen Anfängen von JSCJ im Jahr 2019.

JSCJ's SiC Schottky Diodes

SiC (Silicon Carbide) is a compound semiconductor comprised of silicon (SI) and carbon (C).

SiC has many advantages in comparision to Si:

  1. SiC has ten times the dieletric breakdown field strength of Si
  2. SiC has three times the bandgap of Si
  3. SiC has three times the thermal conductivity of Si

These advantages make SiC devices far exceed the performance of their Si counterpartes with higher breakdown voltage, lower resistivity and higher operation temperature.

JSCJ offers currently 650V, 10A SiC Schottky Diodes in TO Package, more variante are in developing.

Based on SiC and packaging technology JSCJ's SiC Schottky Diodes have following features:

  • Temperature Independent fast Switching Behavior
  • Low Conduction and Switching Loss (less noise)
  • High Surge Current Capability
  • Positive Temperature Coefficient on Vf ( avoid thermal run away when used in parallel )
  • Fast Reverse Recovery
  • 175°C Maximum Operating Junction Temperature

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