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Kategorie: Aktive Bauelemente
Aktive Bauelemente, BECK Elektronik
SiC MOSFET Module von Leapers bei BECK Elektronik
Die E0 Serie (Bild#1) und E2 Serie (Bild#2) der Siliziumkarbid (SiC) MOSFET Leistungshalbleiter-Module des in Japan und China ansässigen Herstellers Wuxi Leapers Semiconductor Co., Ltd. – kurz „Leapers“ – eignen sich bestens für den Einsatz in folgenden Anwendungsbereichen: Erneuerbare Energien, Luftkompressoren, Industrie Frequenzumrichter und unterbrechungsfreie Stromversorgungen (UPS).
Die E0…
Aktive Bauelemente, BECK Elektronik
Power MOSFETs im PDFN5x6 Gehäuse
Wir bieten eine Vielzahl leistungsstarker, effizienter Power MOSFETs im PDFN*5x6 (Power Dual Flat No-Lead) Gehäuse mit einer Kantenabmessung von 5mm x 6mm an!
In dieser Bauform sind MOSFETs mit einer Drain-Source-Spannung VDS von bis zu 600V oder einem Drain-Strom ID von bis zu 200A verfügbar! Dabei weisen alle Bauteile einen möglichst kleinen Drain-Source-Widerstand RDS(on) auf, um so…
Aktive Bauelemente, BECK Elektronik
Automotive Constant Current Regulated LED Driver from TSC
Low-Side Constant Current Regulator (CCR) for linear LED driving: TSCR420 & TSCR421
The AEC-Q100 qualified LED Driver regulates with a present 10mA nominal, that can be adjusted with an external resistor up to 300mA. It is designed for driving LEDs in strings and will reduce current at increasing temperatures to self-protect.
Operating as a series linear CCR for LED string current control, it…
Optoelektronik, Aktive Bauelemente, BECK Elektronik
5kW, 16 – 100V Surface Mount Transient Voltage Suppressor
Taiwan Semiconductor stellt offiziell seine 5000 Watt High Power Surge Capability Uni-Directional TVS Dioden Serie im DO-214AB (SMC) Gehäuse mit zuverlässiger thermischer Leistung bis zu TJMAX = 175 °C vor.
TSC's 5.0SMDJ Serie bietet insgesamt 26 neue Teilenummern mit Arbeitsabstandspannungen von 16 V bis 100 V, hervorragende Klemmfähigkeit von 26 V bis 162 V.
Features:
- 5000 Watt peak pulse…
Aktive Bauelemente, BECK Elektronik
ESD Schutz mit niedriger Kapazität
Taiwan Semiconductor stellt neue Niedrigkapazitäts-ESD-Schutzbausteine vor, die zum Schutz von Hoch-geschwindigkeits-Datenschnittstellen bei 5V-Abstandsspannung dienen.
Alle Teile erfüllen mindestens die ESD Anforderungen nach IEC61000-4-2 von ± 15 kV (Luft), ± 8 kV (Kontakt) und unterstützen Überspannungsschutz Anforderungen für High-Speed-Datenleitungen wie USB, HDMI, Display Port, SATA und…
Optoelektronik, Aktive Bauelemente, BECK Elektronik
Linearer Konstantstrom geregelter LED-Treiber
Die TSCR4xx sind Konstantstromregler (CCR) für lineare LED-Treiber.
Die Treiber regeln mit einem voreingestellten 10 mA Nennwert, der mit einem externen Widerstand bis zu 300 mA (TSCR420CX6 / TSCR421CX6) eingestellt werden kann, beziehungsweise mit einer Voreinstellung von 0,1 mA (TSCR400CX6) und 20 mA (TSCR402CX6) Nennwert, die mit einem externen Widerstand bis zu 65 mA eingestellt werden kann.…
Optoelektronik, Aktive Bauelemente, BECK Elektronik
1W Zener im SOD-123W Gehäuse
Eine neue 1W Power Zener Produktreihe im flachen SOD-123W Gehäuse von Taiwan Semiconductor.
Die Baureihe BZC27CxxPW ist für hochfrequente Miniatur-Schaltnetzteile und integrierte DC-DC-Wandler ausgelegt.
Dieses Produkt ist AEC-Q101 zertifiziert für Automobilanwendungen.
Merkmale:
- Silicon zener diodes
- Low profile surface mount package
- Zener and surge current specification
- Low leakage…
Optoelektronik, Aktive Bauelemente, BECK Elektronik
ESD-fähige Gleichrichter
Eine neue Familie von ESD-fähigen Gleichrichtern von Taiwan Semiconductor.
Alle TSDxx-Bauteile haben eine sich periodische Spitzensperrspannung (VRRM) von 400 V und stehen für Vorwärtsströme (I F(AV)) von 1 A bis 3 A in den Gehäusetypen SOD-123W, SMA, SMB und SMC zur Verfügung. Diese Teile sind glaspassiviert und bieten einen niedrigen Durchlassspannungsabfall (VF), eine hohe Stoßstromfähigkeit…
Aktive Bauelemente, BECK Elektronik
Surface Mount Brückengleichrichter 2.2 A, 400 – 1000 V
Taiwan Semiconductor stellt offiziell seine YBS-Paket Brückengleichrichter YBS220xG vor.
Die Brücken im Low-Profile-Gehäuse (Höhe 1,5 mm) mit VRRM-Bereich von 400 V bis 1000 V, IF(AV) = 2,2 A Ausgangsleistung eignen sich besonders gut für Stromversorgungs-anwendungen, bei denen geringer Platzbedarf und eine niedrige Gehäusehöhe ein Anliegen ist.
Features:
- Low body height, less than 1.5 mm
- Hi…
Optoelektronik, Aktive Bauelemente, BECK Elektronik
600V Super Junction 2nd Generation N-Channel MOSFETs
Taiwan Semiconductor hat eine zweite Generation von
600 V-Super-Junction-Leistungs-MOSFETs entwickelt.
- Schnellere, leistungsfähigere Schaltleistung
- Verbesserte Leistungsfähigkeit (FOM)
- Schnellere Recovery-Zeit
Die Familie der 600 V N-Kanal-Leistungs-MOSFETs TSM60NBxxx bietet RDS(on) (max) im Bereich von 190 mO bis 1.4 O.
Die fortschrittliche und proprietäre Super-Junction-Technologie wurde…