Aktuelles

The new 600/700 V N-Channel Power MOSFETs in Super-Junction technology with RDS(on) of 0.75 and 1.4 O have been launched in TO-251 (IPAK) and TO-252 (DPAK) packages.

Super-Junction Power MOSFETs by TSC offer low RDS(on) and high efficiency.

Features:

  • Super-Junction technology
  • High performance due to small figure-of-merit
  • High ruggedness performance
  • High commutation performance

Applicatio...

The Trench Schottky technology patented by TSC offers excellent high temperature stability, lower forward voltage drop, and lower power loss for a given silicon surface area.

It offers high energy efficiency and high forward surge capability.

TSC Trench Schottky devices are optimized for low and ultra-low VF (respectively “L” and “U”-type) or low/ultra-low IR (“M”, “H”-type).

The broad...

 ELNA has recently developed "conductive polymer hybrid aluminum electrolytic capacitors", which combined advantages of both aluminum electrolytic capacitors and conductive polymer capacitors.

This new product incorporated the hybrid electrolyte, that blended electrolytic solution (liquid) with conductive polymer (solid) using the unique electrolyte technology.

Features:

  • Low ESR, high ripple...

SMD-Sicherung mit dem hohem Ausschaltvermögen (UMT-H)

Neue Nennstromwerte für die Die SMD-Sicherung UMT-H wurde um 13 zusätzliche Nennstromwerte erweitert und wird nun mit insgesamt 19 Nennströmen angeboten, welche die Nennstromwerte zwischen 160 mA und 10 A abdeckt. Sie schützt dadurch eine noch grössere Bandbreite von Anwendungen. Mit einem Ausschaltvermögen von 1500 A bietet die kompakte...

The MOSFET portfolio of Taiwan Semiconductor has been expanded to include various Low Voltage MOSFETs for general purpose application use:

  • 30 V N-Channel & -30 V P-Channel MOSFET, SOP-8 package
  • -60 V (D-S) P-Channel MOSFET, TO-251S (IPAK) and TO-252 (DPAK) package
  • 30~60 V (D-S) N-Channel MOSFET, TO-251S (IPAK), TO-252 (DPAK) and SOT-223 package

These devices are based on a 0.18 µm Trench...

Dipl.-Ing. Theodor Beck erhält Bundesverdienstkreuz

Dr. Markus Söder, Finanzminister in Bayern, überreichte bei einer Feierstunde auf der Nürnberger Kaiserburg am Dienstag, 23.7.2013 das Bundesverdienstkreuz am Bande an:

Unternehmer Herr Dipl.-Ing. Theodor Beck aus Nürnberg hat sich mit der Schaffung und Erhaltung vor Arbeitsplätzen verdient gemacht. Daneben fördert er die Kultur, die Geschichte sowie die sozialen Belange seiner Mitmenschen.

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Beck Elektronik Messe Embedded World 2012 Nürnberg

Auch dieses Jahr war Beck Elektronik im heimischen Nürnberg wieder auf der Messe „Embedded World“ vom 28. Februar bis 1. März 2012 mit einem Display-Stand vertreten.

Verschiedene Displaytechniken wie PMOLED, LCD und TFT mit entsprechendem Zubehör als auch Highlights wie AMOLED, E-Paper und unsere anschlussfertigen Compact-Modul-Lösungen konnten begutachtet werden.

Das Feedback war wieder einmal...

LED Chip Sharp

Hamburg, 22. Juni 2010 – Mit einer neuen Produktionsanlage in Fukuyama (Japan) will Sharp innerhalb des Jahres 2010 die Massenproduktion blauer LED Chips beginnen. Bereits Anfang Januar 2010 startete Sharp seine eigene Produktion von LED Chips in der japanischen Mihara Fabrik.

Die Gesamtinvestition beträgt 15 Milliarden Yen (ca. 137 Mio. Euro). Mit Aufnahme der Produktion in Fukuyama erhöht Sharp...